简介： 本发明提供了一种非平衡态硫族化合物、薄膜及其制备方法，属于记忆体芯片材料技术领域。该非平衡态硫族化合物的化学分子式通式为XY4，其中Y元素为元素周期表中高挥发性的硫族元素。将X元素和Y元素通过真空熔炼和热压烧结而形成非平衡态化合物。此外，还可以通过等离子溅射将该非平衡态硫族化合物制作为薄膜，该薄膜可以作为新一代记忆体芯片的开关元件的关键材料，具有优秀的电学性能和稳定性。