简介： 一种晶体硅可控化生长及提纯的方法,属于冶金提纯及晶体生长交叉技术领域。该方法构建具有三明治结构“冶金硅‑溶剂金属‑籽晶”的样品原料，放置于具有温度梯度的热场中进行加热、保温，待保温结束后快速淬火冷却至室温，最终分离得到生长速度可控、品质(纯度、杂质分布)可控、晶体取向可控的块状晶体硅，并将冶金硅源、硅合金及籽晶回收重复利用。本发明主要通过添加冶金硅源以促进晶体硅稳定生长，提高生长速率；添加籽晶衬底以有效调控生长硅晶体取向；其次通过添加低熔点溶剂金属与冶金硅形成合金熔体，有效降低晶体硅生长温度，降低能耗，降低生长硅中杂质含量，提高提纯效果。本发明生长提纯晶体硅满足太阳能级硅的要求，节能降耗环保，生产效率高。