简介： 本发明提供了一种太阳能级硅的制备方法,该方法采用金属硅或金属硅粉为原材料,通过化学除杂与物理冶炼除杂相结合的方法,将硅中的各杂质元素含量降到1PPM以下,特别是磷≤0.5PPM,B≤0.3PPM,电阻率≥2ΩCM,从而制得低成本的高纯硅。与现有技术相比,本发明采用化学处理和物理处理相结合,能更有效地降低硅里面的杂质元素;能耗较低,设备投资少,建设周期短,过程的环保容易克服,相同规模的投资比较少;与纯物理熔炼方法比较,更容易降低B、P的含量,所得产品纯度高。