简介： 本发明公开了一种高纯钽板及其制备方法，涉及金属冶金制造领域，包括电子束熔炼、球磨、水力分级、烘干、钽粉球化、装模、加热加压、成胚、和轧制成板，制成的高纯钽板的纯度大于99.95％，平均晶粒尺寸为20‑26μm，本发明的优点在于，采用高频热等离子体的加热处理将角状钽粉末制成球状钽粉末，与角状钽粉末相比，球状钽粉末的粒径分布集中可控，降低钽胚在多次塑性变形下易产生带状固有结构，导致钽板组织出现晶粒分层的情况发生，提高高纯钽板的晶粒均匀性，可有效的降低等离子体阻抗，提高磁控溅射的镀膜效果以及半导体器件的性能。