简介： 本发明涉及靶材生产制备领域，具体而言，涉及硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法，按配比准备金属化合物的原料；对原料进行真空熔炼处理，得到金属化合物；将金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的金属化合物粉末；将干燥的金属化合物粉末进行真空热压烧结处理，得到块状的金属化合物相变材料溅射靶材。本发明所述硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法，生产一系列金属化合物相变材料。这些材料，能够实现现有的金属化合物相变材料的相变功能之外，且生产金属化合物相变材料的成本降低。而且，制成的各种金属化合物相变材料比传统的GeSbTe金属化合物相变材料熔点低，故其相变的温度点也较低，使得工艺的窗口得到拓宽。