简介： 一种高纯铝单层晶体凝固提纯方法属于铸造冶金领域。本发明在偏析法提纯纯铝或其他轻金属时,利用真空下的熔炼和保温,以及纯金属凝固时的结晶特点,在扁平结晶平台中,通过调整结晶槽中的铝液厚度、生长速度以及固液界面前沿的温度梯度,控制晶体生长为单层平行排列的胞状晶体,将溶质元素的三维复杂分布转化为近二维分布,有效控制杂质元素的排出。本发明降低了提纯过程中氧原子的侵入,有利于控制界面以平面推进,提高杂质元素的排除效率。在垂直生长方向上,并排的单个胞晶体纯度均匀,在生长方向上,杂质元素浓度分布更接近理论的情况,杂质元素大多富集于尾部,成型的铝锭为板状,可采用轧机刀具切断,减少了污染,提高了生产效率。