简介： 本发明属于冶金制备领域,特别涉及一种磁控溅射CO-CR-TA合金靶的制造方法。该方法以99.95%的电解钴,99.9%的电解铬,99.9%的钽为原料,经真空熔炼,铸锭、锻造,轧制,热处理(或经真空熔炼,铸锭,轧制,热处理),然后机加工成成品。合金成分AT%范围为:CO 73-88%,CR 8-25%,TA 2-6%;在熔炼过程中浇注温度在熔点以上50℃～150℃,锻造温度在1000℃～1200℃,轧制温度为1100℃～1300℃,热处理温度为700℃～1000℃,保温4～10小时,然后淬火。本发明与现有技术相比具有成品成分控制精确,分布均匀,成品的纯度高,密度大、磁透率高的优点。