简介： 本发明公开了一种高纯大尺寸氧化镁单晶的制备方法，属于晶体生长技术领域。该方法首先将菱镁矿石提纯化处理，得到高纯的重烧氧化镁；重烧氧化镁经破碎、磁选、分筛后得到分级氧化镁粉体；按照最大密度的堆积原则，将分级氧化镁粉体级配混合，然后将10~50吨混合料一次性装入单晶生长炉体中；在温度2800~3500℃、电流2万安培条件下冶炼20~50小时；自然冷却后剥离外层的多晶氧化镁层，得到氧化镁单晶块，再通过分选，即可得到高纯大尺寸氧化镁单晶。本发明方法可以生产高纯度（≥99.99%）、大尺寸（≥2英寸）氧化镁单晶，且该方法制备工艺简单，对原料来源和设备及工艺条件的要求低，有利于推广应用。