简介： 本发明公开了一种电子元器件用保护膜的制备方法，属于电子元器件领域，其原料由乙烯?丙烯酸共聚物、硅烷偶联剂、天然植物胶、草木灰、低品位氧化锌矿、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯组成，然后经过粉碎、熔融反应、制膜或涂覆制得；本发明制得的厚度为10?100μm的薄膜或者厚度为30?100μm的涂覆膜，以200℃×1小时进行处理后的30℃下的拉伸强度达到51MPa以上、伸长率为在5％以下，具有优异的机械性能，可以作为自支撑膜或者复合膜的基膜；其表面电阻值为1×106Ω≤Rs＜1×109Ω，非接触防静电电压值达到12kv以上，具有优异的防静电性能，同时，具有优异的耐酸碱耐高温低温性能。