简介： 本发明涉及超细高纯石英材料的制备方法，其工 艺为：采用国产优质脉石英矿(SiO2≥99％)为原料，经粗碎、静电选法去杂、超细粉碎、高梯度磁选法去杂、微波处理、络合法去杂以及后处理等工序生产电子级和微电子级超细高纯石英新材料，其制备工艺采用静电选法、高梯度磁选法、微波处理和络合法等先进技术去除杂质，该方法使SiO2含量达99.99－99.999％，杂质含量＜100ppm，粒度800－2500目，符合电子级、微电子级使用要求，产品以其优异的性能应用于电子元件、微电子元件及集成电路的高档塑封材料等。