低温共烧多层压电陶瓷及其制备方法
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低温共烧多层压电陶瓷及其制备方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明是一种低温共烧多层压电陶瓷,其材料主要组成为yPb(ZrxTi1-x)O3—(1-y-z)Pb(Mn1/3Sb2/3)O3—zPb(Zn1/3Nb2/3)O3,另外添加适量的CuO做助熔剂,以实现多层膜低温烧结。其中,x值为0.40-0.60,y值为0.60-0.88,z值为0.02-0.1,CuO的百分含量为0-0.05。多层膜采用流延法制备,110-500℃之间进行排胶,830-850℃低温烧结,得到高致密度的多层压电陶瓷,压点性能测试三层结构的压电多层膜陶瓷表观d33≥875Pc/N,远高于同成分单层陶瓷的d33值(306Pc/N)。本发明实现了低温烧结,避免了高温烧结的耗能大、成本高、组分偏差以及PbO的挥发造成的环境污染问题,且压电性能优良,d33≥875Pc/N,介电常数3000-6000,机电耦合系数K31≥0.56,满足多层压电陶瓷器件要求。
本发明是一种低温共烧多层压电陶瓷,其材料主要组成为yPb(ZrxTi1-x)O3—(1-y-z)Pb(Mn1/3Sb2/3)O3—zPb(Zn1/3Nb2/3)O3,另外添加适量的CuO做助熔剂,以实现多层膜低温烧结。其中,x值为0.40-0.60,y值为0.60-0.88,z值为0.02-0.1,CuO的百分含量为0-0.05。多层膜采用流延法制备,110-500℃之间进行排胶,830-850℃低温烧结,得到高致密度的多层压电陶瓷,压点性能测试三层结构的压电多层膜陶瓷表观d33≥875Pc/N,远高于同成分单层陶瓷的d33值(306Pc/N)。本发明实现了低温烧结,避免了高温烧结的耗能大、成本高、组分偏差以及PbO的挥发造成的环境污染问题,且压电性能优良,d33≥875Pc/N,介电常数3000-6000,机电耦合系数K31≥0.56,满足多层压电陶瓷器件要求。
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