简介:
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及电子材料技术,尤其涉及一种低温烧结Ba-Nd-Ti体系微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的原料成分为质量百分比90.15%~96.85%的Ba-Nd-Ti和质量百分比0%~9.85%的降烧剂,降烧剂组成为:30%≤降烧剂A≤100%和0%≤降烧剂B≤70%。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度≤900℃,介电常数(60~90),Qxf(GHz):2000~5000。可用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及电子材料技术,尤其涉及一种低温烧结Ba-Nd-Ti体系微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的原料成分为质量百分比90.15%~96.85%的Ba-Nd-Ti和质量百分比0%~9.85%的降烧剂,降烧剂组成为:30%≤降烧剂A≤100%和0%≤降烧剂B≤70%。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度≤900℃,介电常数(60~90),Qxf(GHz):2000~5000。可用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。