简介:
本发明公开了一种钾基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以ABO4这种典型的白钨矿结构为基础,选取低价态K+离子和Bi3+联合占据A位,高价态的Mo6+和V5+复合阳离子占据B位,通过固相反应烧结法,得到了一系列可以在800oC以下温度范围内烧结,在微波频段下具有高介电常数(34≤εr≤80)、谐振频率温度系数可调(-260ppm/oC≤TCF≤+117ppm/oC)且微波介电损耗低(高品质因数Qf值,4,000GHz≤Qf≤9,700GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为:(K0.5xBi1-0.5x)(MoxV1-x)O4,式中0.05≤x≤0.99。
本发明公开了一种钾基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以ABO4这种典型的
白钨矿结构为基础,选取低价态K+离子和Bi3+联合占据A位,高价态的Mo6+和V5+复合阳离子占据B位,通过固相反应烧结法,得到了一系列可以在800oC以下温度范围内烧结,在微波频段下具有高介电常数(34≤εr≤80)、谐振频率温度系数可调(-260ppm/oC≤TCF≤+117ppm/oC)且微波介电损耗低(高品质因数Qf值,4,000GHz≤Qf≤9,700GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为:(K0.5xBi1-0.5x)(MoxV1-x)O4,式中0.05≤x≤0.99。