简介： 本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法，其组分和含量为LaMnO3基础上添加10－70mol％TiO2，同时添加0－60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制备步骤包括(1)配料，(2)造粒，(3)成型，(4)烧成，(5)电极制备。本发明克服了NTCR陶瓷材料室温电阻较大的缺点，提供了一种具有良好的导电性能和高温稳定性、实现了室温电阻率为182Ω.cm，而温度系数B值为3268K的锰酸镧为基的钙钛矿型NTCR半导体陶瓷。本发明在温度测量、抑制浪涌电流和温度补偿方面得到广泛应用。