简介： 本发明公开了一种集成电路衬底用绝缘陶瓷，由以下按照重量份的原料组成：硅锌矿60‑80份、钛酸钡30‑40份、烧滑石20‑30份、钛白粉10‑30份、二氧化硅10‑20份、氮化硅5‑15份、石英粉3‑8份、云母粉5‑10份、碳化硼2‑8份、聚丙烯酸钠5‑10份、酚醛树脂8‑15份、氧化铝3‑8份、复合添加剂2‑6份、粘结剂1‑5份和去离子水100‑120份。本发明的集成电路衬底用绝缘陶瓷具有绝缘电阻值低、绝缘性能好、使用寿命长、生产成本低等优点，同时，本发明的制备方法通过严格控制工艺参数，可以控制绝缘陶瓷材料在烧结过程中的结构变化和化学变化，可以满足工业应用的要求。