简介： 本发明公开了一种具有高磁熵变的磁制冷材料化合物及其制备方法。本发明的磁制冷材料化合物的化学组成式为(La0.7Ca0.2Tm0.1)Mn1-xMxO3，所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质，Ca和Tm为基质组元离子，M为点缺陷控制的辅助掺杂离子，其中0＜x≤0.1，并且所述化合物在5T磁场下的最大磁熵变大于等于5.0J/kg.K。本发明采用不同价态离子掺杂和气氛处理来调控点缺陷，通过控制晶体结构中电子输运和离子间自旋电子耦合效应来提高其磁滞冷性能，获得了高居里转变点和良好材料使用性能，使化合物的磁商变值提高约一个数量级，并且具有材料稳定性高、无毒副作用、操作工艺简单、成本低等特点。