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碳化硅棒（SiC）

来源：江西科泰新材料有限公司
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简介： 碳化硅是第三代半导体材料，具有带隙宽、热导率高、电子的饱和飘移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件和紫外探测器灯方面具有广泛应用场景。

产品详细

碳化硅棒(SiC)基本信息

分子式： SiC

纯度： 99%

CAS号： 409-21-2

摩尔质量： 40.097

密度： 3.22 g/cm3

熔点： 2830 °C

碳化硅棒(SiC)产品应用

碳化硅是第三代半导体材料，具有带隙宽、热导率高、电子的饱和飘移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件和紫外探测器灯方面具有广泛应用场景。