产品详细参数如下：
产品类别 合金靶材
产品简称 NiV
产品全称 Nickel Vanadium
产品纯度 99.9%，99.95%，99.99%
产品形状 平面靶，柱状靶，电弧靶，异型靶
生产工艺 Vacuum Melting
最大尺寸 L≤4000mm,W≤350mm
在集成电路的膜层中一般用金做导电层，但金与晶圆(硅)容易生成AuSi低熔点化合物，导致金与硅界面粘接不牢固，因此在金和硅晶圆的表面之间增加了粘接层。一般用纯镍做粘接层，但镍膜层和金膜导电层之间也会扩散，因此还需要阻挡层，来防止金膜层和镍膜层之间的扩散。阻挡层常常采用熔点高的金属，还要承受较大的电流密度，高纯金属钒便能满足该要求。
所以在集成电路领域会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。镍钒溅射靶材是在镍熔体中加入钒，制成镍钒合金靶材，该合金铁磁性较弱，更有利于磁控溅射，可同时实现镍溅射靶材和钒溅射靶材的优点，一次完成镍层(粘接层)和钒层(阻挡层)的制备。由于镍钒合金无磁性，广泛应用在电子及信息产业等领域。
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京公网安备 11010702002294号
