氟化钪颗粒(ScF3)
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氟化钪颗粒(ScF3)
来源:江西科泰新材料有限公司
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简介: 氟化钪靶材(ScF₃)是以高纯金属钪(Sc,纯度≥99.99%)为原料,通过真空氟化反应与热等静压烧结技术制备的稀土氟化物功能靶材,化学计量比Sc:F=1:3.00±0.02,理论密度3.86 g/cm³,实际密度≥3.70 g/cm³(相对密度>95%),晶相为立方晶系(XRD验证)。其具有超宽光谱透过性(截止波长<120 nm,透光范围120 nm-8 μm)、高热稳定性(熔点1550℃)及低电子散射特性(电阻率10³-10⁴ Ω·cm),适配磁控溅射(DC/RF)、离子束沉积(IBD)及分子束外延(MBE)工艺,广泛应用于极紫外(EUV)光刻、深紫外光学镀膜、超导薄膜及固态电解质领域。
产品详细

氟化钪颗粒(ScF3)基本信息

分子式: ScF3

纯度: 99.99%

CAS号: 13709-47-2

摩尔质量: 101.95100

密度: 2.53 g/cm3

熔点: 1,552 °C(1,825 K)

沸点: 1,607 °C(1,880 K)

溶解性(水): 在水中溶解度很小,但可溶于碱金属的碳酸盐和碳酸铵溶液,与碱共熔即完全分解。

氟化钪颗粒(ScF3)产品概况

氟化钪靶材(ScF₃)是以高纯金属钪(Sc,纯度≥99.99%)为原料,通过真空氟化反应与热等静压烧结技术制备的稀土氟化物功能靶材,化学计量比Sc:F=1:3.00±0.02,理论密度3.86 g/cm³,实际密度≥3.70 g/cm³(相对密度>95%),晶相为立方晶系(XRD验证)。其具有超宽光谱透过性(截止波长<120 nm,透光范围120 nm-8 μm)、高热稳定性(熔点1550℃)及低电子散射特性(电阻率10³-10⁴ Ω·cm),适配磁控溅射(DC/RF)、离子束沉积(IBD)及分子束外延(MBE)工艺,广泛应用于极紫外(EUV)光刻、深紫外光学镀膜、超导薄膜及固态电解质领域。通过氧/碳杂质控制(O<100 ppm,C<50 ppm)、晶粒尺寸优化(微米级等轴晶)及表面等离子体处理(粗糙度Ra<0.1 μm),满足高精度薄膜的均匀性、低缺陷密度及界面结合强度需求,助力半导体与新能源技术升级。

氟化钪颗粒(ScF3)产品应用

氟化钪靶材(ScF₃)凭借其深紫外透过极限、高热稳定性及优异的界面兼容性,成为半导体光刻、超导器件及新能源领域的核心材料。

半导体与光刻技术:EUV光刻机反射镜保护涂层(13.5 nm波段高反射率)。氮化镓(GaN)器件钝化层(降低界面态密度)。

光学镀膜:深紫外激光器增透膜(193 nm ArF准分子激光系统)。红外热成像系统减反射涂层(8-12 μm波段)。

新能源器件:全固态氟离子电池电解质薄膜(离子电导率>10⁻⁴ S/cm @300℃)。高温燃料电池质子导体掺杂剂(提升氧离子迁移率)。

前沿材料:超导量子比特衬底(ScF₃/Al₂O₃异质结界面优化)。拓扑绝缘体薄膜生长缓冲层(晶格失配率<1%)。
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标签:氟化钪颗粒,氟化钪
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