设备介绍

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种利用辉光放电(等离子体)反应生成含有气态物质的薄膜的薄膜生长技术。该系统由高功率射频电源、真空系统、管式炉组成，配备喷淋塔、活性炭箱，满足尾气处理的需要。该设备是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性，这些具有反应活性的中性物质很容易被吸附到较次温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。我公司根据实验要求设计了此设备，设备设计满足各类薄膜研究的需求。

产品优势

成品质量好

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

带尾气处理装置

配备喷淋塔、活性炭箱，离心吹扫机等尾气处理装置，满足尾气处理的需要

可通保护气氛

法兰上带有进出气旋转接头，可以通入氮气、氩气等惰性保护气体，可在气氛环境下使用

安全防护功能

安全防护，具有超温保护功能，当温度超过允许设定值后，自动报警保护功能，操作安全可靠

沉积效果好

等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜

智能多段PID可编程

温控系统采用PID智能化程序控温，自整定功能并可编制多段升降温程序

技术参数

产品名称 PECVD

产品型号 KJ-T1200-PECVD

炉膛结构 分体式，上部可打开，方便拿取炉管

炉管尺寸 直径Φ100mm，长1500mm

(其他尺寸可根据客户需求定制)

加热区长度 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

炉管材质 石英炉管

工作温度 ≤1100℃

最高温度 1200℃

加热元件 含钼电阻丝

控温精度 ±1℃

加热速率 建议10℃/min，可根据实验工艺进行调节

温度测试元件 N型热电偶

控温系统 采用智能化多段PID可编程控制

温度控制系统采用人工智能调节技术，具有 PID 调节、自整定功能并可编制多段升降温程序;

1、采用PID 方式调节控温，可设置多段升降温程序

2、控温精度±1ºC

3、具有过温保护 断偶保护过温或断偶时电炉加热电路自动切断

4、仪表具有温度自整定的功能

密封方式 真空法兰的密封方式，密封效果好

冷却方式 空气冷却

真空系统 扩散泵系统：

真空度：10 -3 Torr~10 -4 Torr。

等离子电源系统 功率范围 0-500W(连续可调)

工作频率 13.56MHZ+0.005%

功率稳定度±1%

最大反射功率 200W

质量流量计

(液晶触摸屏) 两台精密质量流量计：

MFC 精度为：±1.5% FS

氮气用 MFC 1 ：气体流量范围为 0~500sccm

氩气用 MFC 2 ：气体流量范围为 0~500sccm

废气处理装备 2套喷淋塔

2套活性炭箱

1台离心吹扫

注意事项 炉管内气压不可高于0.02MPa

· 由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，使用时会更加精确安全

· 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态

· 进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击

· 石英管的长时间使用温度<1100℃

不得通入氯化物、硫化物等易腐蚀性气体，易造成法兰等不锈钢件的损坏

对于样品加热的实验

不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。

若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数

若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生(如炉管破裂，法兰飞出等)