设备介绍

PECVD系统由管式炉，真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能，PECVD系统薄膜沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高等优点。 等离子增强化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、石墨烯材料等。

产品优势

成品质量好

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

沉积效果好

等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜

薄膜应力大小可调

可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小

技术参数

产品名称 高真空PECVD设备(CE认证)

滑轨管式炉部分

产品型号 KJ-T1200-S5030-H

炉管尺寸 Φ50mmX1600mm (其他尺寸可根据客户需求定制)

炉管材质 石英管

加热区 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

工作温度 ≤1100℃

最高温度 1200℃

温控方式 N型热电偶

控制方式 触屏控制，带独立摇臂，可以根据实际使用需求，调节温控屏的角度，使用更方便

控温精度 ±1℃

温控保护 具有超温和断偶保护功能

升温速率 建议≤10ºC/min

加热元件 含钼电阻丝

炉膛材料 氧化铝多晶纤维

炉体结构 炉体带滑轨，可实现快速升温和降温

法兰接头 标配配有两个不锈钢真空法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀

密封系统 该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好。

壳体 不锈钢壳体

选配 辅助降温风扇

真空系统部分

名称 真空系统

主要参数

1.采用进口安捷伦高真空分子泵组，极限真空度可达10-3pa

2.KF25快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连;

3.数字式真空显示，测量精度高

气路系统部分

名称 四路质量流量计

主要参数

四通道精密质量流量计：触屏控制，数字显示，自动控制。

4个不锈钢针阀安装在供气系统的左侧，可手动控制4种气体;

进出气口：3进1出

流量控制：手动旋转式调节

等离子电源部分

名称 500W等离子电源

售后服务 质保一年，终身保修(耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围)