设备介绍

箱式化学气相沉积系统采用炉体和智能控制一体化设计，整个炉体美观、大方。PID可编程序智能控温，移相触发，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷循环系统，炉门底部升降，节能安全。化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。 该系列产品可广泛用于高等院校、科研单位、工矿企业进行：高温实验、材料烧结、成分分析，质量检测等热处理工作。

产品优势

工作温度可选

不同的加热元件达到最高1200℃、1400℃、1700℃，温场均衡，可根据需求选择温度

适用范围广

是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等

可设置30段升降温程序

控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，移相触发，控温精度可以达到±1℃

技术参数

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