设备名称

激光掺硼设备

设备型号

SC-CP02L/RA

设备用途

调用激光的方式作用于硼硅玻璃(BSG)表面，形成重掺，作为配套生产选择性发射电极(SE)电池。

工艺流程 Process Flow

上料→ 拍照定位→ 加工→ 下料

深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司激光掺硼设备技术特点如下：

1、产能大于8000片/小时(M10硅片);Ct分解: 0.9s=(激光时间1.6s+激光切换时间0.2s)/2，即1.8s出2片。

2、激光器、扫描振镜，场镜及所有光学元器件均为业内知名品牌，具有优越的稳定性、可靠性。

3、对位采用高精度摄像头，配合具有自主知识产权的运动学标定算法，实现高精度对位。

设备参数 Parameters

型号 Model：SC-CP02L/RA

硅片尺寸(mm)Wafer Size：Compatible with18X/210/230

Uptime：≥98%

破片率Breakage Rate：<0.02%

外形尺寸(mm)Footprint：6555(L)x3000(W) x2520(H)

加工速度Processing Speed：>30米/秒m/s

激光光斑Laser Spot Size：80x80μm方形平顶光斑flat-top square spot

图案精度Pattern Precision：≤±15μm

对准精度Alignment Precision：≤±15μm

产能Throughput：>8000Pcs/h(M10硅片wafer )