DE500P 电子束蒸发镀膜系统配置两个电子束蒸发源，可在基片共蒸发沉积金属、半导体或介质材料。
典型应用
适用于量产
LIFT-OFF工艺镀膜
可蒸发金属、半导体或介质材料
可蒸发磁性材料
可双源共蒸发
可选RF等离子体或离子源基片清洗
可选基片氧化
主要配置
蒸发腔体：不锈钢腔体
真空阀门：高真空阀门
真空测量：宽量程真空计
蒸发源：两个电子束蒸发源
样品台：
公转/自转基片台
(可选加热至300℃)
膜厚检测：晶振速率膜厚监控
主要技术指标
极限真空度：5E-8 Torr
基片尺寸：可选：2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
片内膜厚均匀性：≤+/-3%
片间膜厚重复性：≤+/-2%
蒸发速率分辨率：0.01 A/s
膜厚分辨率：0.1 A
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京公网安备 11010702002294号
