DE400DUL超高真空电子束蒸发镀膜系统配置一个多坩埚电子束蒸发源，可在基片蒸发沉积金属、半导体或介质材料，是制备lift-off工艺薄膜和低微材料的理想平台。
特点
可选RF等离子体或离子源基片清洗
可选基片氧化
主要配置
蒸发腔体
不锈钢腔体
真空阀门 高真空阀门
真空测量 宽量程真空计
蒸发源 多坩埚电子束蒸发源
样品台：
自转基片台
可选可倾角和自转基片台
(可选加热至800度)
(可选冷却至-150度)
膜厚检测 晶振速率膜厚监控
预真空样品室：
单基片或多基片装载能力
全自动送样
主要技术指标
极限真空度 5E-9Torr 可选9E-10Torr
基片尺寸 可选：2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
膜厚均匀性 优于+/-3%
蒸发速率分辨率 0.01 A/s
膜厚分辨率 0.1A
0
0
0
0
0
宣传 
宣传 
宣传 
京公网安备 11010702002294号
