1600℃ TSSG法晶体生长炉
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1600℃ TSSG法晶体生长炉
来源:郑州成越科学仪器有限公司
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简介: CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T型1600℃ TSSG法晶体生长炉是一款专为晶体生长设计的高温实验设备,采用顶部籽晶法和助溶剂法生长各种材料单晶。该设备炉体采用氧化铝纤维作为炉膛材料,以硅钼棒为加热元件,腔体尺寸为φ330mm×250mm(H),最高温度可达1700℃。其配备30段可编程精密温度控制器,控温精度可达±1℃,升温速率0-10℃/min,可满足复杂晶体生长的温度需求。
产品详细

1600℃ TSSG法晶体生长炉

1600℃ TSSG法晶体生长炉


产品型号:CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T

CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T型1600℃ TSSG法晶体生长炉是一款专为晶体生长设计的高温实验设备,采用顶部籽晶法和助溶剂法生长各种材料单晶。该设备炉体采用氧化纤维作为炉膛材料,以硅钼棒为加热元件,腔体尺寸为φ330mm×250mm(H),最高温度可达1700℃。其配备30段可编程精密温度控制器,控温精度可达±1℃,升温速率0-10℃/min,可满足复杂晶体生长的温度需求。

此外,该设备还配备精密旋转提拉机构,提拉速度范围0.03-12mm/h,旋转速度0.03-50r/min,可根据客户需求定制。在冶金领域,该设备可用于制备高纯度金属晶体、合金单晶等,其高精度的温度控制和灵活的提拉机构有助于优化晶体生长过程,提高材料性能。

简单介绍:

CY-01600BG-Φ200-200×200-V-T是一款顶部籽晶法晶体生长炉,可利用助溶剂法生长各种材料单晶。箱式炉采用氧化铝纤维作为炉膛材料,以MoSi2为加热元件,其腔体尺寸为φ330mm×250mm(H),*高温度可达1700℃。30段可编程精密温度控制器,可根据不同的客户需求来设定升降温程序,控温精度可达±1℃,配备精密旋转提拉机构可用于顶部籽晶助溶剂法生长各种晶体材料,提拉速度和旋转速度均可根据客户需求进行定制。

技术参数:

1600℃ TSSG法晶体生长炉
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标签:法晶体生长炉,晶体生长炉,冶金设备
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