17日，中核集团中国原子能科学研究院发布消息，该院自主研发的我国首台串列式高能氢离子注入机（POWER-750H）成功实现稳定出束，关键性能指标达到国际同类设备的先进水平。

这一重大突破表明，我国已完全掌握串列式高能氢离子注入机的全链路核心技术，突破了功率半导体制造工艺中的关键瓶颈，不仅填补了国内该领域的技术空白，更为提升高端装备自主化水平、保障产业链安全稳定提供了强有力的支撑。

中国原子能科学研究院基于在核物理加速器领域长期的技术积淀，采用串列加速器关键技术作为突破口，成功攻克了多项技术瓶颈，全面掌握了串列式高能氢离子注入机从基础理论到系统集成的自主创新能力。这一突破彻底扭转了我国在该装备领域长期受制于人的局面，有效解决了制约我国半导体产业升级的关键技术短板。

作为集成电路制造的"四大关键设备"之一，离子注入机与光刻系统、蚀刻设备、薄膜生长装置共同构成了芯片生产的核心装备体系，是半导体工业不可或缺的基础性设备。特别是在高能氢离子注入机领域，我国过去完全依靠国际采购，因其极高的技术门槛和复杂的研发难度，始终是阻碍我国关键技术突破的重要瓶颈。

这项成果不仅显著增强了我国在功率半导体等战略领域的自主可控能力，更为推动实现碳中和目标、培育新型生产力提供了重要的技术保障。