简介： 一种功率二极管器件，涉及半导体器件技术领域。该功率二极管器件包括衬底、设于衬底上且包括有源区和终端区的碳化硅外延层、设于有源区上的肖特基金属层、设于肖特基金属层上的正面金属层、设置于终端区上且与肖特基金属层邻接的钝化层，和覆盖钝化层和正面金属层的保护层，保护层上开设有露出正面金属层的窗口；还包括依次形成于衬底背面的欧姆金属层和背面金属层；钝化层的厚度小于或等于0.1μm，且钝化层包括覆盖终端区的第一部、覆盖正面金属层的上表面周缘的第三部，和连接于第一部和第三部之间且包覆正面金属层侧壁的第二部。该器件能够有效解决器件在经过TCT测试后，器件钝化层发生开裂而引起器件可靠性降低，甚至失效的问题。