简介： 本发明提供了电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置，属于SiC MOSFET的阈值电压恢复领域，方法包括：将待恢复的SiC MOSFET裸芯片固定，且将待恢复的SiC MOSFET裸芯片的各电极引出；对待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行若干次连续电子辐照；电子辐照后，测量待恢复的SiCMOSFET阈值电压，当实际阈值电压与健康阈值电压相比较，若两者相等，则停止对待恢复的SiC MOSFET裸芯片的电子辐照；否则，继续对待恢复的SiC MOSFET裸芯片进行电子辐照；本发明实现了失效SiC MOSFET的回收再利用。