简介： 本发明提供了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该发光二极管芯片自下而上依次包括衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一导电金属层、DBR反射层、第二导电金属层、绝缘保护层及键合金属层；其中，所述第一导电金属层包括第一N型导电金属与第一P型导电金属，在单个所述发光二极管芯片内，所述第一N型导电金属与所述第一P型导电金属的数量比为1：2‑1：30。本发明能够解决现有技术中第一N型导电金属与第一P型导电金属间距较大，导致电流扩散困难及电流扩散不均匀，在较大的雷击浪涌测试时，大电压输入的情况下，电流无法迅速扩散，导致芯片烧毁失效的技术问题。