简介： 一种沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置，包括如下步骤：掺杂；注胶和研磨；刻蚀；清洗；热处理；溅射。经过在背面的处理工艺，采用热处理过程后，通过对晶圆片探测数据，有效的改善沟渠双扩散金属氧化半导体没有出现源漏(源极和漏极)软击穿失效的情况。同时相对应所采取的装置是通过现有的高温炉就可以实现，不需要特别的购买新设备或专门的设备，因此节省了成本，提高了经济效益。