简介： 本发明涉及一种避免反溅射层剥离的SIP系列靶材及其用途。所述SIP系列靶材包括阴极金属，所述阴极金属边缘的倒角半径R≥4mm。针对现有技术中，常规的SIP系列靶材，阴极金属与反溅射层间的界面设计并不能很好地缓解因热膨胀系数差异而产生的界面应力不匹配和应力集中问题，存在反溅射层剥落的风险；且反溅射层剥落会产生异常物理尖端，从而引发尖端放电，导致后续芯片的电性测试失效及硅片报废的问题。本发明所述SIP系列靶材能够有效地缓解阴极金属与反溅射层间的应力不匹配和应力集中情形，能够避免反溅射层剥离和等离子体尖端放电的问题。