简介： 一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区以及切割道区；在所述半导体衬底的表面形成顶层金属互联结构；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层金属互联结构，所述切割道区的钝化层高于所述芯片区的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，以暴露出所述芯片区和切割道区内的顶层金属互连结构。本发明方案有助于避免引线落在接地的测试键上，降低芯片发生短路失效的可能性。