简介： 本发明提供了一种刻蚀控制方法，设置了套刻精度和高级工艺流程控制的相关参数之间的对应关系后，该方法首先测量光刻后晶片的当前层上光刻图案的套刻精度，将所得的套刻精度发送到刻蚀机台，由刻蚀机台根据套刻精度得到刻蚀步骤中高级工艺流程控制的相关参数，以光刻图案为掩膜，按照调整后的相关参数刻蚀当前层，改变刻蚀形成的半导体器件结构的形状，改善因OVL造成的半导体器件失效，扩大工艺窗口和提高产品良率。