简介： 一种半导体缺陷剔除方法。本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种半导体缺陷剔除方法。提供了一种利用半导体温度敏感特性，抓住缺陷部位和其它部位的载流子浓度对温度敏感程度存在较大差异的特点，可靠剔除微缺陷器件的半导体缺陷剔除方法。本发明在工作中，先对半导体施加正向电流，提升半导体结温；结温提升的情况下对半导体施加反向浪涌，可有效剔除常温下无法测试出的带有缺陷的半导体器件，可有效降低半导体失效率，提升半导体器件可靠性。