简介： 本发明提供一种监控低温快速热工艺的方法,利用在晶片上形成一包含有一硅化物层,一厚度为200钴金属层与一厚度为200氮化钛层的监控层,再通过测量监控层的电阻值来监控该低温快速热工艺的稳定性。即可得到该低温快速热工艺的效果,且解决了现有使用厚度为100的钴金属层容易因为晶片表面状态而发生监控失效的缺点。