简介： 本发明公开了一种热扩散压阻式MEMS压力传感器芯片级老化方法,包括以下步骤:1)光刻淀积了金属的硅片,形成管芯电极及老化所需引线;2)为老化引线接电极,并将所述硅片整体放入老化设备中进行老化;3)老化完成后将所述老化引线刻蚀掉。本发明利用管芯在硅片上有规律分布的特点,通过巧妙的引线设计在硅片上一次完成所有管芯的互连,在老化时大圆片上所有的管芯都得到电老化,使早期失效管芯在终测时一并被剔除,从而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相对于现在管芯在压焊封装后再进行老化筛选,简化了老化方法,减少了所需使用的老化设备,大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生产成本。