简介： 本发明提供了一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法，包括：将待测试样品处理到钨栓塞层；使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记；通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压，找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径；使用聚焦离子束机台，在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路，然后在线路的末端沉积金属垫体；通过微光显微镜给金属垫体施加一定的电压，从而突出失效处的热点信号；在失效点处标记激光标记；使用聚焦离子束机台在激光标记处进行剖面切削，同时观察失效点，制备透射电子显微镜试片；以及使用透射电子显微镜对试片进行表征。本发明的方法能够快速实现对字线层短路点的定位和表征。