IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质
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IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质
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简介: 本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质,所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线;以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本,获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率;根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率,得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式;根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式,获得预设键合点失效率对应的功率循环次数,以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间,经济成本和时间成本得到很好的控制。
本公开提供一种IGBT模块寿命的统计方法、装置、电子设备及存储介质,所述方法包括获取待测IGBT模块的集电极与发射极之间的电压值随功率循环次数变化的变化曲线;以所述待测IGBT模块内的所有键合点为子样本,获取所述变化曲线上每个电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率;根据所述变化曲线上所有电压突变点对应的功率循环次数和键合点的总失效率,得到键合点的总失效率与功率循环次数的关系式;根据键合点的总失效率与功率循环次数的关系式,获得预设键合点失效率对应的功率循环次数,以得到所述待测IGBT模块的循环寿命。该方法可以减少IGBT模块样本数量并节省大量的试验时间,经济成本和时间成本得到很好的控制。
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