简介： 根据本发明的一个方面，一种操作半导体存储器件的方法包括以下步骤：执行包括编程操作和编程验证操作的编程循环，以便在选中的存储器单元中储存输入数据；执行第一错误比特检查操作，用于将数据的与输入数据不同的错误比特的数量与可纠正的错误比特的数量进行比较；如果错误比特的数量等于或小于可纠正错误比特的数量，则执行第二错误检查操作，所述第二错误检查操作用于将错误比特的数量与用于替换确定的比特的参考数量进行比较；以及如果错误比特的数量大于用于替换确定的比特的参考数量，则通过将具有错误比特的存储器单元的列地址加到失效列地址信息中来更新失效列地址信息。