简介： 本发明提出了一种获得边发射激光器芯片最优老化条件的方法及采用该条件筛选芯片的方法，用以解决通过点测试PI曲线的方法得到最大功率下的驱动电流与实际老化最大功率下驱动电流不相同的问题。包括以下步骤：芯片组Ⅰ测试不同老化温度Ⅰ下所对应的饱和电流Io；将驱动电流Ⅰ、老化温度Ⅱ和老化时间组合成老化条件矩阵，统计每组芯片的老化失效率；对完成老化的芯片组Ⅱ进行Htol测试，测试完成后统计Htol失效率；对比Htol失效率为0的芯片组Ⅱ的老化失效率，老化失效率最高的芯片组Ⅱ所对应的老化条件为芯片的最佳老化条件。本方案在饱和电流Io的选择上更加精准，电流范围上验证的更加全面，最终得到的老化条件更加具有适用性。