简介:
二极管芯片。涉及一种半导体分立器件。能克服检测中放电,使用中“爬电”现象。芯片边沿设有一圈玻璃质保护层,芯片的水平投影为无折角的封闭形状;芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边;侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜;玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95%。本实用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放电,提高耐压能力,避免失效或故障。SIPOS膜作用为吸收芯片表面可动离子(杂质),增强器件稳定性、提高二极管耐压能力。沟槽底部仍会保留SIPOS膜和SIO2膜,防止在蒸金时会有金层附着在上面。
二极管
芯片。涉及一种半导体分立器件。能克服检测中放电,使用中“爬电”现象。芯片边沿设有一圈玻璃质保护层,芯片的水平投影为无折角的封闭形状;芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边;侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘
多晶硅膜;玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95%。本实用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放电,提高耐压能力,避免失效或故障。SIPOS膜作用为吸收芯片表面可动离子(杂质),增强器件稳定性、提高二极管耐压能力。沟槽底部仍会保留SIPOS膜和SIO2膜,防止在蒸金时会有金层附着在上面。