简介： 本发明公开了一种原子层沉积用于静电保护二极管的管控及制造方法，涉及功率半导体器件生产制造技术领域。本发明包括芯片固定、等离子清洗、打线工艺、原子沉积、原子层沉积检查、注塑成型工艺、EMC树脂作为包封料或塑封料的后固化、激光去残胶、后续工艺；后续工艺包括电镀、打标、切筋、自动测试线、包装。本发明避免了离子迁移，保护稳定性好，即使水渗进去也不会失效；解决了大功率小封装的离子迁移问题，减小离子迁移风险，降低产品在生产过程中的管控成本，特别是目前主流使用高低温冲击，减少加速拉花的工序或减少了二次回流；使晶圆的厚度持续减薄，减少树脂成本；减少对于后续的生产工序管控的难度。