简介： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：存储区域，包括至少一个块存储区；标识结构，包括至少一个标识；所述标识位于所述存储区域或者位于所述存储区域的外围，用于标示所述存储区域在所述三维存储器中的地址。本发明能够快速定位到目标地址，大大提高了工作效率和定位成功率，减少了失效分析的成本。