简介： 本发明提供的一种光刻方法，包括：提供测试晶圆；使用设计掩模版对所述测试晶圆进行光刻工艺，在测试晶圆表面形成光刻胶图形；检测所述光刻胶图形，查找发生图形坍塌的区域；根据所述光刻胶图形的坍塌区域，制作修正掩模版，所述修正掩模版具有开口，所述开口与所述图形坍塌区域相对应；提供产品晶圆；分别使用所述修正掩模版以及设计掩模版对产品晶圆进行曝光，在产品晶圆表面形成光刻胶图形。本发明通过对已发生图形坍塌的光刻胶区域进行二次曝光，使得该区域光刻胶的图形失效，从而避免了光刻胶缺陷的扩散。