简介： 本发明涉及半导体集成电路的失效分析领域，尤其涉及一种修补去层次样品的方法。本发明提出一种修补去层次样品的方法，在去层次工艺时出现错层的半导体结构上覆盖机械强度达到研磨工艺要求的介质层，并部分去除介质层至金属层，去除暴露金属层后再继续去层次工艺，如此循环重复，直至目标区域完整的处于同一目标层，以便于后续的失效分析工艺的进行。