简介： 本发明涉及一种样品去层次方法，用于半导体芯片的失效分析，包括以下步骤：步骤S1、所述半导体芯片具有一目标区域；步骤S2、研磨所述半导体芯片，并停止于位于所述层间介质层上表面的所述金属层；步骤S3、形成一保护膜层，所述保护膜层覆盖所述目标区域的正上方的所述金属层的上表面；步骤S4、继续研磨所述半导体芯片，去除位于所述保护膜层下方的所述金属层之外的所述金属层；步骤S5、去除所述保护膜层；步骤S6、去除所述金属层；步骤S7、去除所述半导体衬底上表面的其余物质，露出所述半导体衬底。其优点在于，设置一层保护膜层，避免出现化学试剂与金属层反应，保障半导体衬底不被损伤以及污染；有效提高失效分析的准确性，提高工作效率。