简介： 本发明公开一架整片晶圆基片上硅晶体缺陷自动垂直刻蚀仪，包括：机壳（1），其上设置有控制面板（2）及升降控制键（3）；刻蚀槽，包括第一刻蚀槽（4）和第二刻蚀槽（5），分别对称设置于刻蚀机械支架的两侧，刻蚀槽为垂直式；刻蚀机械支架，包括水平移动支架和晶圆样品支架（8），水平移动支架包括滑轨（6）以及滑块（7），晶圆样品支架（8）连接于滑块（7）两侧；滑块（7）与升降装置（9）相连接。所述刻蚀仪通过对整片晶圆基片采用垂直悬挂式刻划以及自动水平移动，有效去除化学刻蚀垃圾，避免引入人工缺陷假象，从而大大提高对硅晶体缺陷失效分析的准确性,并通过双槽设计提高硅晶体缺陷失效分析的快速性。