简介： 本发明公开了一种芯片静电损伤的定位方法及装置，该方法包括：对于芯片的失效样品，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的初始失效点；调节锁相缺陷定位热发射显微镜的定位参数后，再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的新增失效点；采用扫描电子显微镜，对初始失效点和新增失效点的特征信息进行分析，以将初始失效点和新增失效点中特征信息与设定的静电损伤信息相同的部分失效点，确定为样品的静电损伤点。本发明的方案，可以解决芯片损伤位置的定位难度较大影响芯片的可靠性的问题，达到减小芯片损伤位置的定位难度以提升芯片的可靠性的效果。