简介： 本发明属于集成电路失效分析领域。本发明提供了一种集成电路缺陷点定位方法，本发明方法通过将集成电路进行开封，同时在集成电路短路引脚的两端进行通电，形成热点，再通过红外热成像显微镜进行拍摄，与未通电时拍摄的照片进行比对，从而准确定位出微短路的精确位置，为后续的进一步分析提供有效信息。本发明有如下优点：1、本发明方法可以对集成电路的微短路缺陷点进行准确定位，速度快，成本低，效率高；2、本发明方法不对人体产生伤害；3、本发明方法极大地提高了封装级失效分析的成功率。